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去耦电容

去耦电容

在直流电源回路中,负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中,当电路从一个状态转换为另一种状态时,就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流,形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声,是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法,配置原则如下:( X1 t6 _7 F0 \7 v# F
  电源输入端跨接一个10100uF的电解电容器,如果印制电路板的位置允许,采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。& P2 X0 x2 s7 j
  为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时,可每410个芯片配置一个110uF钽电解电容器,这种器件的高频阻抗特别小,在500kHz20MHz范围内阻抗小于,而且漏电流很小(0.5uA以下)。, w3 m7 b% i7 [0 b- P
  对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROMRAM等存储型器件,应在芯片的电源线(Vcc)和地线(GND)间直接接入去耦电容。& T+ ^4 y! V- t) w. o4 ?
  去耦电容的引线不能过长,特别是高频旁路电容不能带引线。
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